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東芝デバイス＆ストレージ、SBD内蔵SiC MOSFETを改良。オン抵抗を26％低減

公開日：2024.06.04

更新日：2024.06.04

今回開発したデバイス構造

デバイス構造を最適化した試作素子のオン抵抗の実測結果（同社調べ）

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