オンセミ、電気自動車やエネルギーインフラアプリケーションの効率を向上させる次世代1200V EliteSiC M3Sデバイスを発表
オンセミ（本社：米国アリゾナ州）は、パワーエレクトロニクス設計者がクラス最高の効率とシステムコストの低減を実現できる、最新世代の1200V EliteSiCシリコンカーバイド（SiC）M3Sデバイスを発売した。この新しい製品ポートフォリオには、高いスイッチング速度を実現するEliteSiC MOSFETとモジュールが含まれており、増加する800Vの電気自動車向けオンボードチャージャ（OBC）およびEV充電、ソーラー、エネルギー貯蔵システムなどのエネルギーインフラアプリケーションのサポートが実現可能になる。
本ポートフォリオには、標準F2パッケージで業界をリードする最低RDS（on）を実現した、ハーフブリッジPIM（Power Integrated Module）タイプの新しいEliteSiC M3Sデバイスも含まれる。これらのモジュールのターゲットは、産業用アプリケーションで、特にDC-AC、AC-DC、DC-DC高電力変換段に最適といえる。
最適化されたDBC（ダイレクトボンド銅）設計により、並列スイッチ間でのバランスのとれた電流共有と熱分散が可能で、より高いレベルの統合を提供。これらのPIMは、エネルギーインフラ、EVのDC急速充電、無停電電源装置（UPS）において高い電力密度を実現するよう設計されている。
オンセミで、シニア・バイス・プレジデント兼アドバンストパワー・ディビジョンのジェネラル・マネージャを務めるアシフ・ ジャクワニ（Asif Jakwani）氏は、次のように述べている。
「オンセミの最新世代の車載用および産業用EliteSiC M3S製品を使用することで、アプリケーションの実装面積やシステムの冷却要件を低減でき、より高い効率と電力密度を備えた高電流コンバータを開発することができます」
車載規格の1200 V EliteSiC MOSFETは、最大22kWの高電流OBCおよび高電圧から低電圧へのDC-DCコンバータ用に最適化。M3S技術は、高速スイッチングアプリケーションに特化して開発されており、スイッチング損失においてクラス最高の性能指標を実現した。
