東芝デバイス＆ストレージ、新パッケージの40V耐圧Nチャネルパワー車載MOSFETを発売

新製品は、新パッケージのS-TOGL（7.0mm×8.44mm※）を採用し、同社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した。

チップからアウターリードまでを一体化したポストレス構造に加えて、ソース端子を多ピン化することで、パッケージ抵抗を低減。高密度かつコンパクトなレイアウトが可能となり、車載機器の小型化と高放熱性を実現した。振動や高温など過酷な環境下での使用を想定した車載電子部品の、基板実装はんだの接合信頼性向上にも寄与するとしている。

XPJR6604PBは、TO-220SM（W）パッケージの既存製品「TKR74F04PB」と比べて、オン抵抗を約11%低減し、実装面積を約55%低減。既存製品と同等の熱抵抗特性を備えながら、高放熱性を実現した。新パッケージは、類似サイズのDPAK+パッケージ（6.5mm×9.5mm※）と比べてドレイン電流定格が200Aと高く、大電流を扱うことができる。

ゲートしきい値電圧を0.4V幅としたリールごとのグルーピング納品にも対応。並列接続での使用が想定される大電流動作を必要とするアプリケーションに対して、特性差の少ない製品グループでシステム設計を進められるという。ただし、特定グループの指定は受け付けていない。

※リード含むパッケージサイズ（Typ.）