三菱電機、「SBD内蔵SiC MOSFETモジュール」サンプル提供開始へ

近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大・多様化している。なかでも電力損失の大幅な低減が可能な、SiCパワー半導体への期待が高まっている。

また、大型産業機器向けのパワー半導体モジュールは、鉄道車両の駆動システムや直流送電などの電力関連システムにおけるインバーターなどの電力変換機器に使用されている。さらなる電力変換効率の向上に向けた高出力・高効率な製品の需要が拡大しているという。

同社は、これまで「3.3kV HVパワーモジュール dualタイプ LV100」のSiパワーモジュール2品種、フルSiCパワーモジュール4品種を市場投入してきた。今後のさらなる高出力・高効率化と信頼性向上に貢献するため、大型産業機器向けのインバーターにSBD内蔵SiC-MOSFETの採用とパッケージ構造の最適化でスイッチング損失を低減しSiCの性能を引き出した「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」のサンプル提供を開始するとしている。

同製品は、5月9日～11日にドイツ・ニュルンベルクで開催された「PCIM（※4） Europe 2023」に出展された。

※1：Silicon Carbide（炭化ケイ素）
※2：Schottky Barrier Diode
※3：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ）
※4：Power Conversion Intelligent Motion