デンソーとUSJCが車載パワー半導体の量産出荷を開始…月産1万枚目指す
デンソー（本社：愛知県刈谷市）と半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション（以下、UMC）の日本拠点であるユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン（本社：神奈川県横浜市、以下、USJC）は2023年5月10日、300mmウェーハの絶縁ゲート型バイポーラトランジスター（Insulated Gate Bipolar Transistor、以下、IGBT）の出荷を開始した。
世界的なカーボンニュートラルに向けた取り組みにおいて、電動車は航続距離や電費のさらなる向上が課題となっている。このような背景から、モーターを駆動・制御するインバーターに採用されているパワー半導体には、発熱による電力損失の低減と小型化が求められている。
デンソーは、従来のIGBT（IGBTとダイオードを別チップで接続したもの）と比べ、エネルギー損失を最大20％削減した小型の次世代IGBT（RC-IGBT＝ダイオードと一体のIGBT）を開発。デンソーとUSJCが共同で新設した製造ラインで生産し、2025年には月産1万枚を目指すとしている。
2022年4月に3社は、電動車の中核デバイスであるIGBT生産で協業することを発表し、2023年上期の生産開始を目指してきた。今回、USJC三重工場で行われた出荷式典には、野原諭経済産業省商務情報政策局長をはじめ、一見勝之三重県知事、伊藤徳宇桑名市長、デンソー代表取締役社長・有馬浩二氏、UMC Co-President・Jason Wang氏などが出席した。
