東洋インキSCホールディングス、無加圧と高放熱性を両立した焼結型銀ナノ接合材を開発

電気自動車の拡大に伴い、電流や電圧の調整時に発生するエネルギー損失の少ないSiC半導体の採用が進んでいる。SiC半導体は従来のSi半導体と比較して動作温度が高く、より高い耐熱性と放熱特性が求められることから、これまでの鉛フリーはんだに代わる接合材が求められている。

今回開発した焼結型銀ナノ接合材は、無加圧での焼結と高い放熱性を両立するパワー半導体用接合材。銅基版と直接接合が可能で、同社評価設備における測定限界値では熱伝導率300W/mk以上、接合強度40MPa以上を示し、薄膜チップや特殊形状のチップにも対応できる。

はんだリフロー炉等の既存設備も使用可能。大量のチップを同時に焼結でき、従来品と比べ5～30分と短時間で焼結できることから、設備投資コストだけでなく、パワー半導体の製造工程における時間・エネルギーの低減にも貢献する。

同製品は、高放熱性を必要とする車載・電鉄用インバーターモジュールや車載ECU、高周波デバイス、パワーIC、高出力LEDなどの接合に適している。無加圧タイプのほか、均一かつ低圧力で接合することでチップや基材へのダメージを抑制可能な加圧タイプもラインアップする。